Developments of nonvolatile Memory using well-ordered Ferroelectric Linear Molecules
Developments of nonvolatile Memory using well-ordered Ferroelectric Linear Molecules
复制标题
使用有序铁电线性分子开发非易失性存储器
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kenji Ishida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
田中泰司;岸 利治;前川宏一;S.Kuwajima;T.Miyazaki;石田 謙司;Kenji Ishida
气相沉积β型聚偏二氟乙烯薄膜的制备及其压电性能
影响因子：
2.1
作者：
A. Takeno;N. Okui;T. Kitoh;M. Muraoka;S. Umemoto;T. Sakai
通讯作者：
T. Sakai
外延生长铁电偏二氟乙烯低聚物薄膜的结构和电子表征
DOI：
10.1557/proc-600-101
发表时间：
1999
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
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作者：
K. Ishida;K. Noda;A. Kubono;T. Horiuchi;Hirofumi Yamada;K. Matsushige
通讯作者：
K. Matsushige