On multiple adsorptions of hydrogen atoms on graphene
On multiple adsorptions of hydrogen atoms on graphene
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氢原子在石墨烯上的多重吸附
DOI：
10.1088/0031-8949/84/02/028108
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
2.9
通讯作者：
Irving B
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Irving B
使用维也纳Ab Initio模拟包（VASP）的第一性原理计算已经被执行，以便仔细检查氢-石墨烯相互作用。重点放在如何表面弛豫和石墨烯上的一个，两个和三个氢原子的先前化学吸附影响的吸附性能的侵入气相氢原子。发现帕拉的化学吸附是无屏障的，而研究表明稳定的原吸附物可以直接从气相形成。吸附的第三和第四个H原子被发现在所有情况下，有一个显着的障碍。所得的最小能量结构显示出与由Hornekær等人获得的扫描隧道显微镜图像（2007 Chem. Phys. Lett. 446 237）。
First-principles calculations using the Vienna Ab Initio Simulation Package (VASP) have been performed in order to scrutinize the hydrogen–graphene interaction. Emphasis has been placed on how surface relaxation and the prior chemisorption of one, two and three hydrogen atoms on graphene affect the adsorption properties of an encroaching gas phase hydrogen atom. Chemisorption at the para site was found to be barrierless, while it has been shown that a stable ortho adsorbate can form directly from the gas phase. Adsorption of the third and fourth H atoms was found in all cases to have a significant barrier. The resultant minimum energy structures show a reasonable agreement with scanning tunneling microscopy images obtained by Hornekær et al (2007 Chem. Phys. Lett. 446 237).
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DOI：
10.1063/1.2177655
发表时间：
2006-03
期刊：
The Journal of chemical physics
影响因子：
--
作者：
R. Martinazzo;G. Tantardini
通讯作者：
R. Martinazzo;G. Tantardini
使用新的多维石墨烯-H-H 势对石墨烯上 H(2) 的 Eley-Rideal 形成进行无限制研究：基材的作用。
DOI：
10.1039/b818614f
发表时间：
2009
期刊：
Physical chemistry chemical physics : PCCP
影响因子：
--
作者：
D. Bachellerie;M. Sizun;F. Aguillon;D. Teillet;N. Rougeau;V. Sidis
通讯作者：
V. Sidis
影响因子：
3.7
作者：
W. Hofer;A. Garcia
通讯作者：
A. Garcia
轻气体原子的表面吸附
影响因子：
4.4
作者：
D. Hollenbach;E. Salpeter
通讯作者：
E. Salpeter
表面覆盖对通过 Eley-Rideal 机制在石墨表面形成分子氢的影响
影响因子：
2.9
作者：
A. Meijer;A. Fisher;D. C. Clary
通讯作者：
D. C. Clary