Performance measurements of Al/CdTe/Pt pixel diode detectors
Performance measurements of Al/CdTe/Pt pixel diode detectors
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Al/CdTe/Pt 像素二极管探测器的性能测量
DOI：
10.1117/12.735188
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Tadayuki Takahashi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Ishikawa;H. Aono;S. Watanabe;S. Takeda;K. Nakazawa;Tadayuki Takahashi
我们开发了使用 Al 作为阳极电极的肖特基 CdTe 探测器并测量了它们的性能。我们首先制造了四种不同厚度的单片探测器：0.5、0.75、1.0 和 2.0 mm。铝阳极电极采用保护环结构。对于 0.5 mm 厚的 CdTe 探测器，在 -20 °C 的温度和 400 V 的偏置电压下，在 122 keV 下实现了 1.2 keV (FWHM) 的能量分辨率。使用相同的技术，我们接下来开发了 8 × 8 像素的 CdTe 探测器，同样具有四种不同的厚度。 Al 阳极电极被像素化，Pt 阴极被制成单板。成功获得了来自所有像素的信号，并且使用 0.5 mm 厚的 CdTe 探测器在 -20 °C 的温度和 400 V 的偏置电压下，对 59.5 keV 和 122 keV 伽马射线实现了 1.3 keV 和 1.9 keV (FWHM) 的能量分辨率。每个像素的能量分辨率几乎相同。
We developed Schottky CdTe detectors using Al as an anode electrode and measured their performances. We first fabricated monolithic detectors with four different thicknesses of 0.5, 0.75, 1.0, and 2.0 mm. An Al anode electrode was implemented with a guard-ring structure. For the 0.5 mm thick CdTe detector, an energy resolution of 1.2 keV (FWHM) at 122 keV was achieved at a temperature of −20 °C and a bias voltage of 400 V. Using the same technology, we next developed 8 × 8 pixel CdTe detectors, again with the four different thicknesses. The Al anode electrode was pixelated and the Pt cathode was made as a single plate. Signals from all pixels were successfully obtained and an energy resolution of 1.3 keV and 1.9 keV (FWHM) for 59.5 keV and 122 keV gamma-rays, was achieved at a temperature of −20 °C and a bias voltage of 400 V using the 0.5 mm thick CdTe detector. The energy resolution was nearly the same in each pixel.
Si/CdTe 半导体康普顿望远镜的最新结果
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Nuclear Instruments and Methods A 568
影响因子：
--
作者：
Tanaka;Watanabe;et al.
通讯作者：
et al.
影响因子：
1.8
作者：
Takahashi, T;Watanabe, S
通讯作者：
Watanabe, S