S.Iwanari;K.Takayanagi: "Surfactant Epitaxy of Si(111),Part I:Reflection Electron Microscope Observation of the Growths with and without without a Sn Layer Mediated Step Flow" Jpn.Cryst.Growth.
S.Iwanari;K.Takayanagi: "Surfactant Epitaxy of Si(111),Part I:Reflection Electron Microscope Observation of the Growths with and without without a Sn Layer Mediated Step Flow" Jpn.Cryst.Growth.
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S.Iwanari；K.Takayanagi：“Si(111) 的表面活性剂外延，第一部分：反射电子显微镜观察有和没有锡层介导的阶梯流的生长”Jpn.Cryst.Growth。
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通讯作者：
中科院分区：
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DOI：
10.1143/jjap.26.l957
发表时间：
1987-06-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
影响因子：
--
作者：
TAKAYANAGI, K;TANISHIRO, Y;YAGI, K
通讯作者：
YAGI, K
使用 X 射线衍射测定表面结构
影响因子：
1.9
作者：
K. M. Conway;J. E. MacDonald;C. Norris;E. Vlieg;J. V. D. Veen
通讯作者：
J. V. D. Veen
使用 X 射线衍射测定 Si(111)(√3 x √3)R30°-Sn 表面的结构
影响因子：
1.9
作者：
K. M. Conway;J. E. MacDonald;C. Norris;E. Vlieg;J. V. D. Veen
通讯作者：
J. V. D. Veen
RHEED 沉积在 Ge(111) 和 Si(111) 表面上的超薄 Sn 层的结构研究
DOI：
10.1016/0039-6028(84)90380-7
发表时间：
1984
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Ichikawa
通讯作者：
T. Ichikawa
金属硅表面的原位特高压电子显微镜研究
DOI：
10.1016/0169-4332(89)90081-0
发表时间：
1990
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Takayanagi;Y. Tanishiro;T. Ishitsuka;K. Akiyama
通讯作者：
K. Akiyama