An ab initio-based apProach to the stability of GaN(0001)surfhces under Ga-rich conditions
An ab initio-based apProach to the stability of GaN(0001)surfhces under Ga-rich conditions
复制标题
富镓条件下 GaN(0001) 表面稳定性的从头算方法
DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T.Akivama,and K.Nakamura
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T.Ito;T.Akivama,and K.Nakamura
登录
查看更多内容
GaN“鬼”岛模型
影响因子：
1.9
作者：
M. Xie;Lianxi Zheng;X. Dai;H. Wu;S. Tong
通讯作者：
S. Tong
GaN on GaN(0 0 1) 初始生长动力学的理论方法
影响因子：
1.8
作者：
Y. Kangawa;Yuriko Matsuo;T. Akiyama;T. Ito;K. Shiraishi;K. Kakimoto
通讯作者：
K. Kakimoto
影响因子：
3.7
作者：
H. Tatematsu;K. Sano;T. Akiyama;K. Nakamura;T. Ito
通讯作者：
H. Tatematsu;K. Sano;T. Akiyama;K. Nakamura;T. Ito
GaN(0001)表面重建的起源
影响因子：
1.9
作者：
S. Vézian;F. Semond;J. Massies;D. Bullock;Z. Ding;P. Thibado
通讯作者：
P. Thibado
干净且砷覆盖的 GaN(0 0 0 1) 表面的结构
影响因子：
1.8
作者：
V. Ramachandran;C. D. Lee;R. Feenstra;A. Smith;J. Northrup;D. Greve
通讯作者：
D. Greve