Ambient-hydrogen-induced changes in the characteristics of Pt/GaN Schottky diodes fabricated on bulk GaN substrates
Ambient-hydrogen-induced changes in the characteristics of Pt/GaN Schottky diodes fabricated on bulk GaN substrates
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环境氢气引起的在体 GaN 衬底上制造的 Pt/GaN 肖特基二极管特性的变化
DOI：
10.35848/1347-4065/ac0260
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发表时间：
2021
影响因子：
1.5
通讯作者：
Koide Yasuo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Irokawa Yoshihiro;Ohki Tomoko;Nabatame Toshihide;Koide Yasuo
影响因子：
6.7
作者：
Hasegawa, Hideki;Akazawa, Masamichi
通讯作者：
Akazawa, Masamichi
非极性m面11´00 GaN单晶上Pt肖特基二极管的氢传感特性
影响因子：
2.1
作者：
Soohwan Jang;Sunwoo Jung;K. Baik
通讯作者：
K. Baik
影响因子：
1.5
作者：
Y. Irokawa
通讯作者：
Y. Irokawa