Comparative Study of 940 nm VCSELs Grown on Ge and GaAs Substrates
Comparative Study of 940 nm VCSELs Grown on Ge and GaAs Substrates
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在 Ge 和 GaAs 衬底上生长的 940 nm VCSEL 的比较研究
DOI：
10.1109/ipc53466.2022.9975478
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Baker J
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Baker J
应变引起的弯曲对 150mm GaAs 和 Ge 衬底晶圆上的 VCSEL 性能的影响
DOI：
10.1117/12.2624492
发表时间：
2022
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Baker J
通讯作者：
Baker J
大面积锗基板上的高性能 940nm VCSEL：批量生产的理想基板
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
Andrew J. Johnson;A. Joel;A. Clark;D. Pearce;M. Geen;Wang Wang;R. Pelzel;Sung Wook Lim
通讯作者：
Sung Wook Lim