Progress towards quantitative dopant profiling in the SEM
Progress towards quantitative dopant profiling in the SEM
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SEM 定量掺杂剂分析的进展
DOI：
10.1088/1742-6596/209/1/012054
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Chee K
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chee K
二次电子（SE）成像的掺杂对比主要由扫描电子显微镜（SEM）分析的固体样品表面的局部电子带结构决定。为了研究非均匀掺杂半导体的掺杂对比机制，我们采用基于有限元载流子和电位建模和SE发射和对比度检测蒙特卡罗模拟相结合的数值方法建立了定量模型。该组合模型能够区分试样内部场（表面带弯曲）、微观外场（贴片场）和SEM中应用的任何宏观外场的影响。
Dopant contrast from secondary electron (SE) imaging is essentially determined by the local electronic band structure at the surface of the solid specimen being analysed in the scanning electron microscope (SEM). To study dopant contrast mechanisms on inhomogeneously doped semiconductors, we have developed a quantitative model by using a numerical method based on a combination of finite-element carrier and potential modelling and Monte Carlo simulation of SE emission and contrast detection. This combined model enables distinction between the effects of specimen internal fields (surface band-bending), microscopic external fields (patch fields) and any macroscopic external fields applied in the SEM.
用扫描电子显微镜进行掺杂剂分析——硅的研究
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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作者：
S. L. Elliott;R. Broom;C. Humphreys
通讯作者：
C. Humphreys
体掺杂对洁净硅表面 ESR 信号的影响
DOI：
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发表时间：
1971
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Chung
通讯作者：
M. Chung