Molecular beam epitaxy growth of SmFeAs(O,F) films with Tc = 55 K using the new fluorine source FeF3
Molecular beam epitaxy growth of SmFeAs(O,F) films with Tc = 55 K using the new fluorine source FeF3
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使用新型氟源 FeF3 分子束外延生长 Tc = 55 K 的 SmFeAs(O,F) 薄膜
DOI：
10.1063/1.4990986
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发表时间：
2017
影响因子：
3.2
通讯作者：
and M. Naito
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Sakoda;A. Ishii;K. Takinaka;and M. Naito
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影响因子：
1.7
作者：
Chul-Ho Lee;A. Iyo;H. Eisaki;H. Kitô;Maria Teresa Fernandez-diaz;R. Kumai;K. Miyazawa;K. Kihou;H. Matsuhata;M. Braden;K. Yamada
通讯作者：
Chul-Ho Lee;A. Iyo;H. Eisaki;H. Kitô;Maria Teresa Fernandez-diaz;R. Kumai;K. Miyazawa;K. Kihou;H. Matsuhata;M. Braden;K. Yamada
F扩散法生长超导SmFeAs(O, F)外延薄膜
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
Soichiro Takeda;S. Ueda;Shiro Takano;Akiyasu Yamamoto;Michio Naito
通讯作者：
Michio Naito
影响因子：
3.7
作者：
Chanda, G.;Lobo, R. P. S. M.;Pronin, A. V.
通讯作者：
Pronin, A. V.
影响因子：
4
作者：
Ueda, Shinya;Takeda, Soichiro;Naito, Michio
通讯作者：
Naito, Michio
使用约瑟夫森结和 SQUID 测量 MgB2 的穿透深度
DOI：
10.1063/1.4793194
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Cunnane;C. Zhuang;Ke Chen;X. Xi;J. Yong;T. Lemberger
通讯作者：
T. Lemberger