Plasma Nitridation of Gate Insulator on 4H-SiC
Plasma Nitridation of Gate Insulator on 4H-SiC
复制标题
4H-SiC 栅极绝缘体的等离子体氮化
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Yano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Yano;H.Yano
氮自由基辐照改善 SiO2/SiC 界面性能
影响因子：
1.5
作者：
Yuusuke Maeyama;H. Yano;Y. Furumoto;T. Hatayama;Y. Uraoka;T. Fuyuki
通讯作者：
T. Fuyuki