Radiation-induced resistance oscillation and instability in GaAS/AlGaAS heterostructure under transverse magnetic fields
Radiation-induced resistance oscillation and instability in GaAS/AlGaAS heterostructure under transverse magnetic fields
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横向磁场下GaAS/AlGaAS异质结构的辐射诱导电阻振荡和不稳定性
DOI：
10.1088/1674-1056/17/6/013
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发表时间：
2008-06
影响因子：
1.7
通讯作者：
Zhou Shi-Ping
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yang Gui;Tu Bi-Hong;Li Guo-Hui;Zhao Hong-Wei;Zhou Shi-Ping
本文研究了调制掺杂GaAs/AlGaAs异质结构在横向磁场和微波辐射下的动力学特性。研究发现，当施加相对较小的磁场时，由于实际空间的电子转移和界面势垒的延迟介电弛豫，负微分电导率会导致复杂的行为。发现了准周期性、频率锁定和从周期加倍到混沌的路径。然而，在大磁场下，存在两个与时间无关的均匀稳态；系统的纵向电阻呈现出有趣的振荡，周期由微波辐射频率ω与回旋频率ωc之比调谐，局部极小值在ω/ωc =整数+ 1/4处。
This paper studies dynamics of a modulation-doped GaAs/AlGaAs heterostructure under transverse magnetic fields and microwave radiations. It finds that negative differential conductivity, due to the real-space electron transfer and delayed dielectric relaxation of the interface potential barrier, can lead to complex behaviours when a relatively small magnetic field is applied. Quasiperiodicity, frequency-locking and the routes from period-doubling to chaos are found. Under a large magnetic field, however, two time-independent homogeneous steady states exist; and the longitudinal resistance of the system shows an interesting oscillation with period tuned by the ratio of microwave radiation frequency ω to the cyclotron frequency ωc and local minima at ω/ωc = integer + 1/4.
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