Oxygen stoichiometry of low-temperature synthesized metastable T′-La2CuO4
Oxygen stoichiometry of low-temperature synthesized metastable T′-La2CuO4
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低温合成亚稳态Tâ2-La2CuO4的氧化学计量
DOI：
10.1088/0953-2048/26/10/105026
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发表时间：
2013
影响因子：
3.6
通讯作者：
L. Alff
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Hord;G. Pascua;K. Hofmann;G. Cordier;J. Kurian;H. Luetkens;V. Pomjakushin;M. Reehuis;B. Albert;L. Alff
用中子散射法研究了低温合成的亚稳T '-La 2CuO 4块材的氧化学计量比。T '-La 2 CuO 4是电子掺杂高温超导体的母体化合物，其化学性质最接近空穴掺杂超导体T-La 2 CuO 4的母体化合物。虽然通常所有电子掺杂的铜酸盐都需要强还原以接近化学计量，但低温合成直接产生完全化学计量的化合物。这一结果使低温生长的T '-La 2CuO 4成为比较空穴和电子掺杂铜酸盐的两种母体化合物的理想材料。
We have investigated the oxygen stoichiometry of low-temperature synthesized metastable T'-La 2 CuO 4 bulk samples by neutron scattering. T'-La 2 CuO 4 is the parent compound of electron-doped high-temperature superconductors that is chemically closest to the parent compound of the hole-doped superconductor T-La 2 CuO 4. While usually all electron-doped cuprates require strong reduction to approach stoichiometry, the low-temperature synthesis directly yields fully stoichiometric compounds. This result makes low-temperature grown T'-La 2 CuO 4 the ideal material to perform a comparison of the two parent compounds of hole-and electron-doped cuprates.
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