Structural investigation of keV Ar-ion-induced surface ripples in Si by cross-sectional transmission electron microscopy
Structural investigation of keV Ar-ion-induced surface ripples in Si by cross-sectional transmission electron microscopy
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通过截面透射电子显微镜研究 keV 氩离子引起的 Si 表面波纹的结构
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Nordlund
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.K.Chini;F.Okuyama;M.Tanemura;K.Nordlund
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使用高电流同位素分离器和离子注入机进行纳米结构
影响因子：
6.7
作者：
T. K. Chini;D. Datta;S. Bhattacharyya;M. Sanyal
通讯作者：
M. Sanyal
用正电子和电子探测非晶硅的结构和电缺陷
影响因子：
3.2
作者：
S. Roorda;R. Hakvoort;A. Veen;P. Stolk;F. Saris
通讯作者：
F. Saris
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影响因子：
1.9
作者：
F. Okuyama;J. Kato
通讯作者：
J. Kato
低能 (2-5 keV) 氩气对硅的损伤
DOI：
10.1088/0022-3727/19/4/013
发表时间：
1986
期刊：
Journal of Physics D
影响因子：
--
作者：
U. Bangert;P. Goodhew;C. Jeynes;I. Wilson
通讯作者：
I. Wilson
离子引起的纳米级波纹的能量依赖波长
影响因子：
3.7
作者：
T. K. Chini;Milan K. Sanyal;Satyaranjan Bhattacharyya
通讯作者：
Satyaranjan Bhattacharyya