Electron-carrier generation by edge dislocations in InN films: First-principles study
Electron-carrier generation by edge dislocations in InN films: First-principles study
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InN 薄膜中边位错产生电子载流子：第一性原理研究
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2009.01.019
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发表时间：
2009
影响因子：
1.8
通讯作者：
T. Nakayama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Takei;T. Nakayama
Si 和 GaAs 中阶梯杆位错的原子和电子结构
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys. (印刷中)
影响因子：
--
作者：
兼安洋乃;岸木敬太(熊本大学);M. Oda;R. Kobayashi
通讯作者：
R. Kobayashi