Atomic and electronic structures of stair-rod dislocations in Si and GaAs
Atomic and electronic structures of stair-rod dislocations in Si and GaAs
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Si 和 GaAs 中阶梯杆位错的原子和电子结构
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R. Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
兼安洋乃;岸木敬太(熊本大学);M. Oda;R. Kobayashi
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外延硅薄膜中堆垛层错四面体电子结构的第一性原理计算
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
J. Cryst. Growth 278
影响因子：
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作者：
T. Nakayama;et. al. (partial contributor);H.Ishii;T.Nakayama;M.Oda;T.Nakayama;S.Kajita;R.Kobayashi;H. Ishii;H. Ishii;T. Nakayama;R. Kobayashi
通讯作者：
R. Kobayashi
塑性变形对GaAs电子性能的影响
影响因子：
3.2
作者：
M. Skowronski;J. Lagowski;M. Milshtein;C. Kang;F. P. Dabkowski;A. M. Hennel;H. Gatos
通讯作者：
H. Gatos
影响因子：
3.2
作者：
WOSINSKI, T
通讯作者：
WOSINSKI, T
根据共振负 U 模型重新解释 HTSC 材料的飞秒激光泵浦探针和热调制光谱结果
DOI：
10.1088/0953-8984/12/3/309
发表时间：
2000
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
J. Wilson
通讯作者：
J. Wilson
DOI：
10.1088/0953-8984/12/49/303
发表时间：
2000
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
J. F. Justo;A. Fazzio;A. Antonelli
通讯作者：
A. Antonelli