Trap states in n-GaN grown on AlN/sapphire template by MOVPE
Trap states in n-GaN grown on AlN/sapphire template by MOVPE
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通过 MOVPE 在 AlN/蓝宝石模板上生长的 n-GaN 中的陷阱态
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Watanabe andT. Egawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Ito;M. Yoshikawa;A. Watanabe andT. Egawa
金属有机化学气相沉积生长的 GaN 中电子陷阱的热稳定性
影响因子：
4
作者：
D. Johnstone;S. Doğan;J. Leach;Y. Moon;Y. Fu;Y. Hu;H. Morkoç
通讯作者：
H. Morkoç