High-temperature crack-healing behaviour and strength recovery of (MoNb)Si2
High-temperature crack-healing behaviour and strength recovery of (MoNb)Si2
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(MoNb)Si2 的高温裂纹愈合行为和强度恢复
DOI：
10.1016/j.apsusc.2015.03.064
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发表时间：
2015-07
影响因子：
6.7
通讯作者：
Peizhong Feng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xiaohong Wang;Qiong Lu;Guangzhi Wu;Peizhong Feng
采用燃烧合成和真空热压技术制备了(MoNb)Si2材料。使用维氏压痕法在抛光材料的表面引入裂纹。研究了(MoNb)Si2材料在空气中高温氧化的裂纹愈合行为。结果表明，在900℃、1200℃和1500℃退火1小时后，每种情况下都观察到裂纹愈合行为。引入裂纹时弯曲强度明显下降，热处理后材料显着恢复。经过 1200°C 处理后，裂纹愈合的样品表现出比原始水平更高的弯曲强度，例如479 MPa 对比纯 MoSi2 的 195 MPa。 MoSi2微铌合金在室温下表现出高弯曲强度，在高温下表现出优异的裂纹愈合性能。
(MoNb)Si2materials were prepared using combustion synthesis and the vacuum hot-pressing technology. Cracks were introduced on the surface of polished materials using the Vickers indentation method. The crack-healing behaviour of (MoNb)Si2materials were investigated with high-temperature oxidation in air. The results show that after annealing at 900 °C, 1200 °C and 1500 °C for 1 h, the crack-healing behaviour was observed in each case. The bending strength obviously decreased when the cracks were introduced, and the materials significantly recovered after the heat treatment. The crack-healed samples exhibited higher bending strengths than the original level after the 1200 °C treatment, e.g. 479 MPa versus 195 MPa of pure MoSi2. MoSi2micro alloyed with niobium shows a high bending strength at room temperature and excellent crack-healing properties at high temperatures.
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DOI：
10.1016/s0955-2219(03)00221-8
发表时间：
2004
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
A. Shan;H. Hashimoto;Y. Park
通讯作者：
A. Shan;H. Hashimoto;Y. Park
DOI：
10.1016/s0921-5093(03)00307-1
发表时间：
2003-10
影响因子：
6.4
作者：
A. Sharif;A. Misra;T. Mitchell
通讯作者：
A. Sharif;A. Misra;T. Mitchell
影响因子：
5.7
作者：
K. Hellström;Jun Tang;T. Jonsson;M. Halvarsson;R. Pompe;M. Sundberg;J. Svensson
通讯作者：
K. Hellström;Jun Tang;T. Jonsson;M. Halvarsson;R. Pompe;M. Sundberg;J. Svensson
影响因子：
3.9
作者：
Chu, MC;Cho, SJ;Yoon, DY
通讯作者：
Yoon, DY
DOI：
10.1111/j.1460-2695.2004.00785.x
发表时间：
2004-07-01
影响因子：
3.7
作者：
Ando, K;Kim, BS;Takahashi, K
通讯作者：
Takahashi, K