Size and Density Control of InAs Quantum Dots by Selective MOVPE Growth Using Narrow Stripe Mask Array
Size and Density Control of InAs Quantum Dots by Selective MOVPE Growth Using Narrow Stripe Mask Array
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使用窄带掩模阵列选择性 MOVPE 生长控制 InAs 量子点的尺寸和密度
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Shimomura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Okamoto;Y.Kawakita;K.Hirose;Y.Yamauchi;K.Shimomura
通过 MOVPE 选择性面积生长在阵列波导中实现高生长增强因子
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
J.Crystal Growth vol.248
影响因子：
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作者：
Y.Moriguchi;T.Kihara;K.Shimomura
通讯作者：
K.Shimomura
影响因子：
4
作者：
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者：
SAKAKI, H
InAs 量子点的区域控制生长以及密度和尺寸分布的改善
影响因子：
4
作者：
J. Tatebayashi;M. Nishioka;T. Someya;Y. Arakawa
通讯作者：
Y. Arakawa