Low-voltage operation of current-injection red emission from p-GaN/Eu-doped GaN/n-GaN light-emitting diodes
Low-voltage operation of current-injection red emission from p-GaN/Eu-doped GaN/n-GaN light-emitting diodes
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p-GaN/Eu 掺杂 GaN/n-GaN 发光二极管电流注入红光发射的低压工作
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
西川敦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
藤原康文;西川敦;寺井慶和;Tadashi Takayanagi;藤原康文;M. Sasaki;H.Kasai;Misao Sasaki;西川敦
金属有机气相外延沉积GaN:Eu3薄膜的研究
影响因子：
3.9
作者：
J. Laski;K. Klinedinst;M. Raukas;K. Mishra;J. Tao;J. McKittrick;J. Talbot
通讯作者：
J. Talbot
Eu 掺杂 GaN 的生长和 MIS 结构的电致发光
DOI：
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发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
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作者：
S. Morishima;T. Maruyama;M. Tanaka;K. Akimoto
通讯作者：
K. Akimoto