Frequency-agile packaged GaN-HEMT using MIM thickfilm BST varactors
Frequency-agile packaged GaN-HEMT using MIM thickfilm BST varactors
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使用 MIM 厚膜 BST 变容二极管的频率捷变封装 GaN-HEMT
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
O. Bengtsson
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Preis;A. Wiens;N. Wolff;R. Jakoby;W. Heinrich;O. Bengtsson
当今无线通信系统要求灵活性沿着电效率。在这项工作中，高效率的GaN HEMT技术相结合的电可调钡锶钛MIM变容二极管的平行板配置，从而在频率捷变晶体管模块。在400 V的调谐电压范围内测量到19%的效率提高。最大CW额定输出功率为44.4 dBm，漏极效率为71.8%。热循环和调制信号测量验证了高度稳定和线性操作。
Nowadays wireless communication systems demand flexibility along with electrical efficiency. In this work the highly efficient GaN-HEMT technology is combined with electrically tunable Barium-Strontium-Titanate MIM varactors in parallel-plate configuration, resulting in a frequency-agile transistor module. An efficiency improvement of 19% within a tuning voltage range of 400 V was measured. Maximum CW rating is 44.4 dBm output power at 71.8% drain efficiency. Thermal cycling and modulated-signal measurements verified highly stable and linear operation.
使用基于 BST 的负载调制组件评估 GaN-HEMT 功率放大器
DOI：
10.1017/s1759078714000518
发表时间：
2014
影响因子：
1.4
作者：
Arnous;Preis. S;Jakoby
通讯作者：
Jakoby