Evaluation of GaN-HEMT power amplifiers using BST-based components for load modulation

Evaluation of GaN-HEMT power amplifiers using BST-based components for load modulation
复制标题

使用基于 BST 的负载调制组件评估 GaN-HEMT 功率放大器

DOI:
10.1017/s1759078714000518
复制
发表时间:
2014
影响因子:
1.4
通讯作者:
Jakoby
Jakoby
中科院分区:
计算机科学4区
文献类型:
--
作者:
Arnous;Preis. S;Jakoby

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

用于射频功率晶体管的厚膜钛酸钡锶变容器
DOI: --
发表时间: 2013
期刊: European Microwave Integrated Circuits Conference
影响因子: --
作者:
A. Wiens;O. Bengtsson;H. Maune;M. Sazegar;W. Heinrich;R. Jakoby
通讯作者: R. Jakoby
开关模式 LDMOS 功率放大器的高效调制
DOI: --
发表时间: 2007
期刊:
影响因子: --
作者:
C. Fager;U. Gustavsson;H. Nemati;H. Zirath
通讯作者: H. Zirath
采用可调谐厚膜 BST 组件的负载调制 GaN 功率放大器
DOI: --
发表时间: 2013
期刊: European Microwave Conference
影响因子: --
作者:
M. T. Arnous;A. Wiens;S. Preis;H. Maune;K. Bathich;Mohmmad Nikfalazar;R. Jakoby;G. Boeck
通讯作者: G. Boeck
基于印刷陶瓷的高功率应用负载调制
DOI: 10.1109/mwsym.2013.6697548
发表时间: 2013
期刊: 2013 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (MTT)
影响因子: --
作者:
Arnous;Sazegar;Nikfalazar;Kohler;Binder;Jakoby
通讯作者: Jakoby