New thin-film power MOSFETs with a buried oxide double step structure
New thin-film power MOSFETs with a buried oxide double step structure
复制标题
具有埋氧双台阶结构的新型薄膜功率 MOSFET
DOI：
10.1109/led.2006.872904
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发表时间：
2006-05
影响因子：
4.9
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
提出了一种新的SOI功率MOSFET结构，用埋氧双台阶（BODS）代替埋氧台阶结构（BOSS）。数值模拟结果表明，薄膜SOI结构比传统SOI和BOSS结构具有更高的击穿电压和更高的杂质耗尽浓度。
A new silicon-on-insulator (SOI) power MOSFET structure is proposed, in which buried oxide step structure (BOSS) is replaced by a buried oxide double step (BODS). Numerical simulations are performed to demonstrate that higher breakdown voltages are obtained resulting from a higher electric-field peak introduced near the BODS, and higher impurity concentration is depleted due to thin-film SOI than that in the conventional SOI and BOSS structure.
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DOI：
10.1109/iedm.1985.190917
发表时间：
1985
期刊：
1985 International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
R. Stengl;U. Gosele
通讯作者：
R. Stengl;U. Gosele
DOI：
10.1007/978-3-642-61395-1
发表时间：
1996
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
B. Murari;F. Bertotti;G. Vignola
通讯作者：
B. Murari;F. Bertotti;G. Vignola
DOI：
10.1016/0026-2714(96)00119-9
发表时间：
2002
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
B. Murari;F. Bertotti;G. Vignola
通讯作者：
B. Murari;F. Bertotti;G. Vignola
影响因子：
1.7
作者：
B. Duan;Bo Zhang;Zhaoji Li
通讯作者：
B. Duan;Bo Zhang;Zhaoji Li
DOI：
10.1109/iedm.1985.191081
发表时间：
1985
期刊：
1985 International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
M. Amato;V. Rumennik
通讯作者：
M. Amato;V. Rumennik