InAs quzntum dot formed on GaNAs buffer layer by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
InAs quzntum dot formed on GaNAs buffer layer by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
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通过金属有机化学气相沉积在 GaNs 缓冲层上形成 InAs 量子点
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Ryoichiro Suzuki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
佐藤晃嗣;林 純一;Ryoichiro Suzuki
影响因子：
1.8
作者：
Makino, S;Miyamoto, T;Iga, K
通讯作者：
Iga, K
应变和约束对 GaAs1˛xNx 覆盖层 InAs 量子点发射波长的影响
影响因子：
3.7
作者：
O. Schumann;S. Birner;M. Baudach;L. Geelhaar;H. Eisele;L. Ivanova;R. Timm;A. Lenz;S. K. Becker;M. Povolotskyi;M. Dähne;G. Abstreiter;H. Riechert
通讯作者：
H. Riechert