Correlation of structure and intrinsic luminescence of freshly introduced dislocations in GaN revealed by SEM and TEM
Correlation of structure and intrinsic luminescence of freshly introduced dislocations in GaN revealed by SEM and TEM
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SEM 和 TEM 揭示 GaN 中新引入位错的结构与本征发光的相关性
DOI：
10.1063/1.5087682
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Seibt
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
O. S. Medvedev;O. F. Vyvenko;E. V. Ubyivovk;S. V. Shapenkov;M. Seibt
GaN 中作为发光量子点的基底螺旋位错的交叉节点
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
O. Medvedev;O. Vyvenko
通讯作者：
O. Vyvenko