Morphology and magnetoresistance of Co2Cr0.6Fe0.4Al-based tunnelling junctions
Morphology and magnetoresistance of Co2Cr0.6Fe0.4Al-based tunnelling junctions
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Co2Cr0 6Fe0 4Al基隧道结的形貌和磁阻
DOI：
10.1088/0022-3727/42/8/084006
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Jourdan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
C. Herbort;E. Arbelo;M. Jourdan
一些铁磁赫斯勒化合物理论上被预测为半金属材料，即在费米能量处具有巨大的自旋极化。研究了平面MgO/Co 2 Cr 0.6 Fe 0.4 Al/AlO x/Co/CoO x/Pt隧道结制备条件、形态和输运性质之间的关系。在MgO（1 0 0）衬底的不同缓冲层（Cr, Fe, MgO）上，采用直流和射频磁控溅射法制备了co2cr 0.6 Fe 0.4 Al外延薄膜。通过RHEED、LEED和原位STM研究，观察到不同的表面形貌。利用电子束蒸发MgO缓冲层，在MgO衬底上射频溅射获得了具有Co 2 Cr 0.6 Fe 0.4 Al的原子平坦表面（B2结构）。然而，这种形态导致了具有不适当润湿性能的alox隧道屏障。
Some ferromagnetic Heusler compounds are theoretically predicted to be half metallic materials, ie to be characterized by a huge spin polarization at the Fermi energy. We investigate the correlations between junction preparation conditions, morphology and transport properties of planar MgO/Co 2 Cr 0.6 Fe 0.4 Al/AlO x/Co/CoO x/Pt tunnelling junctions. Epitaxial Co 2 Cr 0.6 Fe 0.4 Al thin films were deposited by dc and rf magnetron sputtering on different buffer layers (Cr, Fe, MgO) on MgO (1 0 0) substrates. By RHEED, LEED and in situ STM investigations different surface morphologies were observed. Atomically flat surfaces with Co 2 Cr 0.6 Fe 0.4 Al unit cell sized steps (B2 structure) were obtained by rf sputtering on MgO substrates with e-beam evaporated MgO buffer layers. However, this morphology results in AlO x tunnelling barriers with improper wetting properties.
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DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
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通讯作者：
H. Adrian
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--
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影响因子：
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