Fabrication of homogeneous SiGe-on-insulator through thermal diffusion of Ge on Si-on-insulator substrate
Fabrication of homogeneous SiGe-on-insulator through thermal diffusion of Ge on Si-on-insulator substrate
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通过Ge在绝缘体上硅衬底上热扩散制备均质绝缘体上硅Ge
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
G.Sazaki et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Kutsukake;N.Usami;K.Fujiwara;T.Ujihara;G.Sazaki et al.
具有突变界面的异质结构应变硅通道中的高电子迁移率
影响因子：
1.9
作者：
N. Sugii;K. Nakagawa;Y. Kimura;S. Yamaguchi;M. Miyao
通讯作者：
M. Miyao