J.Kanasaki: "Enhancement of Emission of Si Atoms from Si(100) Surface by Low-Rate Br Exposure: A New Model of Dry Etching Based on Defect-Adsorbate Interaction" Japanese Journal of Applied Physics. (1994)
J.Kanasaki: "Enhancement of Emission of Si Atoms from Si(100) Surface by Low-Rate Br Exposure: A New Model of Dry Etching Based on Defect-Adsorbate Interaction" Japanese Journal of Applied Physics. (1994)
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J.Kanasaki：“通过低速率 Br 曝光增强 Si(100) 表面的 Si 原子发射：基于缺陷-吸附物相互作用的干法蚀刻新模型”日本应用物理学杂志。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Si(100) 表面硅原子的激光诱导电子发射
影响因子：
1.5
作者：
J. Kanasaki;I. Yu;Yasuo Nakai Yasuo Nakai;Noriaki Itoh Noriaki Itoh
通讯作者：
Noriaki Itoh Noriaki Itoh
表面电子空穴对与表面缺陷的动态相互作用：通过粒子发射监测表面光谱。
影响因子：
8.6
作者：
Kanasaki;Okano;Ishikawa;Nakai;Itoh
通讯作者：
Itoh