Boron and indium incorporation in GaP(0 0 1) surfaces by vapour deposition: Density-functional supercell calculations of the surface stability

Boron and indium incorporation in GaP(0 0 1) surfaces by vapour deposition: Density-functional supercell calculations of the surface stability
复制标题

通过气相沉积将硼和铟掺入 GaP(0 0 1) 表面:表面稳定性的密度泛函超晶胞计算

DOI:
10.1016/j.susc.2009.06.003
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
1.9
通讯作者:
C. Engler
C. Engler
中科院分区:
化学3区
文献类型:
--
作者:
A. Jenichen;C. Engler

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

DOI: 10.1016/0039-6028(94)00756-x
发表时间: 1995
期刊: Surface Science
影响因子: 1.9
作者:
Jian;L. J. Lewis
通讯作者: L. J. Lewis
III-V族化合物半导体(001)表面
DOI: 10.1007/s003390101058
发表时间: 2002
期刊: Applied Physics A
影响因子: --
作者:
W. Schmidt
通讯作者: W. Schmidt
InP和GaP(0 0 1)表面的第一性原理研究
DOI: 10.1016/s0927-0256(01)00161-6
发表时间: 2001
影响因子: 3.3
作者:
O. Pulci;K. Lüdge;P. Vogt;N. Esser;W. Schmidt;W. Richter;F. Bechstedt
通讯作者: F. Bechstedt
DOI: 10.1016/j.susc.2004.10.038
发表时间: 2005
期刊: Surface Science
影响因子: 1.9
作者:
A. Jenichen;C. Engler;G. Leibiger;V. Gottschalch
通讯作者: V. Gottschalch
GaAs(001)-c(4x4) 表面的 Ga-As 二聚体结构
DOI: --
发表时间: 2004
期刊: Surface Science 566-568
影响因子: --
作者:
A.Ohtake;J.Nakamura;A.Natori;N.Koguchi
通讯作者: N.Koguchi