Determination of absorption coefficients in AlInP lattice matched to GaAs
Determination of absorption coefficients in AlInP lattice matched to GaAs
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与 GaAs 匹配的 AlInP 晶格中吸收系数的测定
DOI：
10.1088/0022-3727/48/40/405101
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. David
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. S. Cheong;J. S. Ng;A. Krysa;J. S. Ong;J. David
通过测量一系列PIN和NIP二极管中光电流随波长的变化，研究了Al_（0.52）In_（0.48）P在基本吸收边附近的吸收特性。在这些结构中的光电流的建模使得吸收系数能够在宽的动态范围内被准确地确定，这允许直接和间接的带隙被确定。
The absorption properties of Al0.52In0.48P have been investigated near the fundamental absorption edge by measuring the photocurrent as a function of wavelength in a series of PIN and NIP diodes. Modelling of the photocurrent in these structures enables the absorption coefficients to be determined accurately over a wide dynamic range, which allows the direct and indirect band-gap to be determined.
具有 InAlP 波导的低阈值室温 GaAs/AlGaAs 量子级联激光器
影响因子：
1.1
作者：
Atkins C
通讯作者：
Atkins C