Low threshold room temperature GaAs/AlGaAs quantum cascade laser with InAlP waveguide
Low threshold room temperature GaAs/AlGaAs quantum cascade laser with InAlP waveguide
复制标题
具有 InAlP 波导的低阈值室温 GaAs/AlGaAs 量子级联激光器
DOI：
10.1049/el.2011.2917
复制
发表时间：
2011
影响因子：
1.1
通讯作者：
Atkins C
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Atkins C
本文报道了一种λ≃9.7µm的波导为In0.47Al0.53P的GaAs/Al0.45Ga0.55As量子级联激光器，该激光器在中红外波段显示出创纪录的低阈值电流密度。在脉冲工作下，在240和300 K下分别观察到2.2和4.4 kA/cm2的阈值电流密度，并且激光发射保持到至少330 K的温度。该激光器采用金属-有机气相外延法生长，在240 K和300 K时的峰值光功率分别达到0.57 W和0.16 W。
A λ≃9.7 µm GaAs/Al0.45Ga0.55As quantum cascade laser with an In0.47Al0.53P waveguide is reported that demonstrates record low threshold current densities for the GaAs/AlxGa1-xAs materials system in the mid-infrared. Under pulsed operation, threshold current densities of 2.2 and 4.4 kA/cm2are observed at 240 and 300 K, respectively, and laser emission is maintained up to temperatures of at least 330 K. The laser was grown by metal-organic vapour phase epitaxy, and emits peak optical powers of up to 0.57 W at 240 K and 0.16 W at 300 K.
登录
查看更多内容
GaAs-AlAs 量子级联激光器中的谷间散射
影响因子：
4
作者：
L. Wilson;D. Carder;J. Cockburn;R. Green;D. Revin;M. Steer;M. Hopkinson;G. Hill;R. Airey
通讯作者：
R. Airey
MOVPE 生长的量子级联激光器，工作波长约为 9 μm
影响因子：
1.8
作者：
A. Krysa;J. Roberts;R. Green;L. Wilson;H. Page;M. Garcia;J. Cockburn
通讯作者：
J. Cockburn
通过电容电压分析技术研究 GaAs/InGaAlP 异质结的界面特性
影响因子：
4
作者：
M. Watanabe;Y. Ohba
通讯作者：
Y. Ohba
金属有机气相外延生长的室温 GaAs/AlGaAs 量子级联激光器
影响因子：
2.6
作者：
A. Krysa;D. Revin;J. P. Commin;C. Atkins;K. Kennedy;Y. Qiu;T. Walther;J. Cockburn
通讯作者：
J. Cockburn