Noninvasive spatial metrology of single-atom devices.
Noninvasive spatial metrology of single-atom devices.
复制标题
单原子装置的无创空间计量。
DOI：
10.1021/nl303863s
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
10.8
通讯作者：
A. Morello
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
F. Mohiyaddin;R. Rahman;R. Kalra;Gerhard Klimeck;L. Hollenberg;J. Pla;A. Dzurak;A. Morello
单个掺杂原子在纳米结构中的确切位置可以影响或完全决定高尺度晶体管或自旋基器件的功能。我们在此展示了一种非侵入性空间计量技术，该技术基于对单原子（硅中的磷）自旋量子位器件的三种电测量的微观建模：超精细耦合、基态能量和邻近门的电容耦合。该技术使我们能够在两个方向上以±2.5 nm的精度定位量子比特原子，在第三个方向上以±15 nm的精度定位量子比特原子，这比从离子注入参数中获得的预制统计数据提高了1500倍。
The exact location of a single dopant atom in a nanostructure can influence or fully determine the functionality of highly scaled transistors or spin-based devices. We demonstrate here a noninvasive spatial metrology technique, based on the microscopic modeling of three electrical measurements on a single-atom (phosphorus in silicon) spin qubit device: hyperfine coupling, ground state energy, and capacitive coupling to nearby gates. This technique allows us to locate the qubit atom with a precision of ±2.5 nm in two directions and ±15 nm in the third direction, which represents a 1500-fold improvement with respect to the prefabrication statistics obtainable from the ion implantation parameters.
影响因子：
24.2
作者：
Cerezo, Alfred;Clifton, Peter H.;Alvis, Roger L.
通讯作者：
Alvis, Roger L.