Generating the Closed-Form Second-Order Characteristics of Analog Differential Cells by Symbolic Perturbation
Generating the Closed-Form Second-Order Characteristics of Analog Differential Cells by Symbolic Perturbation
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通过符号摄动生成模拟差分单元的闭式二阶特性
DOI：
10.1109/tcsi.2018.2822308
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发表时间：
2018-04
影响因子：
5.1
通讯作者：
Shi Guoyong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shi Guoyong
模拟集成电路设计人员在设计推理中经常使用封闭形式的设计方程。然而，大多数时候，他们必须手工推导所有的方程。当对高阶效应感兴趣时，手动推导将变得更加困难。虽然符号电路分析的艺术已经取得了稳步的进展，但符号生成高阶效应的闭型方程仍然是一个研究较少的课题。本文提出了一种新的符号计算方法来生成差分细胞的二阶特征。它是一种利用微分单元结构对称性的微扰方法，并将其表述为由若干中间步骤组成的系统计算过程，每一步的计算都给出了一个紧凑的偏表达式。举例说明，应用符号摄动程序可以生成两个经典运算放大器的极零形式（以前未知）的闭合共模抑制比方程。
Analog integrated circuit designers always use closed-form design equations in design reasoning. However, most of the time, they have to derive all equations by hand. When high-order effects are of interest, manual derivation would become much harder. Although the art of symbolic circuit analysis has been making steady progress, symbolically generating closed-form equations for high-order effect is still a less well-studied subject. This paper proposes a novel symbolic computation method for generating the second-order characterization of differential cells. It is a perturbation approach that takes the advantage of structural symmetry in differential cells, and is formulated as a systematic computation procedure comprised of several intermediate steps, the computation of each step gives a compact partial expression. Examples are provided to illustrate that closed-form common-mode rejection ratio equations in pole-zero form (unknown before) for two classical operational amplifiers can be generated by applying the symbolic perturbation procedure.
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结合设计知识的符号零极点提取的拓扑方法
DOI：
10.1109/tcad.2017.2664065
发表时间：
2017
影响因子：
2.9
作者：
Shi Guoyong
通讯作者：
Shi Guoyong
影响因子：
5.1
作者：
W. Daems;Wim Verhaegen;P. Wambacq;G. Gielen;W. Sansen
通讯作者：
W. Daems;Wim Verhaegen;P. Wambacq;G. Gielen;W. Sansen
DOI：
10.1145/143242.143362
发表时间：
1992-08
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
M. Noro;T. Takeshima
通讯作者：
M. Noro;T. Takeshima
DOI：
10.1109/4.364450
发表时间：
1995-03
期刊：
IEEE J. Solid State Circuits
影响因子：
--
作者：
P. Wambacq;Francisco V. Fernández;G. Gielen;W. Sansen;Á. Rodríguez-Vázquez
通讯作者：
P. Wambacq;Francisco V. Fernández;G. Gielen;W. Sansen;Á. Rodríguez-Vázquez
DOI：
10.1109/jssc.2012.2229070
发表时间：
2013
期刊：
IEEE J. Solid State Circuits
影响因子：
--
作者：
Zushu Yan;Pui-in Mak;M. Law;R. Martins
通讯作者：
Zushu Yan;Pui-in Mak;M. Law;R. Martins