Photoabsorptton Characterization on Surface InAs Nanostructures Using Light-Illuminated Scanning Tunneling Microscope
Photoabsorptton Characterization on Surface InAs Nanostructures Using Light-Illuminated Scanning Tunneling Microscope
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使用光照明扫描隧道显微镜对表面 InAs 纳米结构进行光吸收表征
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takuji Takahashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kan Takada;Misaichl Takeuchi;Takuji Takahashi
分子束外延法对邻位 GaAs(110) 衬底上 InAs 量子线的透射电子显微镜和光致发光表征
影响因子：
1.5
作者：
S. Torii;K. Bando;B. Shim;K. Maehashi;H. Nakashima
通讯作者：
H. Nakashima
邻 (110) GaAs 表面巨台阶边缘 GaAs 量子线的形成和表征
影响因子：
1.5
作者：
M. Takeuchi;K. Shiba;Kazuki Sato;H. Huang;Koichi Inoue;H. Nakashima
通讯作者：
H. Nakashima