Development of Through-Substrate Via Process for Silicon-Based Monolithic Microwave Integrated Circuits SIS Mixer
Development of Through-Substrate Via Process for Silicon-Based Monolithic Microwave Integrated Circuits SIS Mixer
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硅基单片微波集成电路SIS混频器穿衬底通孔工艺的开发
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Wenlei Shan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shohei Ezaki;and Wenlei Shan
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DOI：
10.1109/tthz.2020.3025097
发表时间：
2020-11
影响因子：
3.2
作者：
W. Shan;S. Ezaki;Haoran Kang;Álvaro González;T. Kojima;Y. Uzawa
通讯作者：
W. Shan;S. Ezaki;Haoran Kang;Álvaro González;T. Kojima;Y. Uzawa
SIS 混频器的起源 - 约翰·塔克 (John Tucker) 在射电天文学领域的遗产
DOI：
10.1109/mwsym.2015.7166809
发表时间：
2015
期刊：
2015 IEEE MTT-S International Microwave Symposium
影响因子：
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作者：
A. Kerr;S. Pan;W. G. Lyons
通讯作者：
W. G. Lyons
影响因子：
2
作者：
S. Ezaki;W. Shan;Y. Uzawa
通讯作者：
S. Ezaki;W. Shan;Y. Uzawa
用于 3D 集成的硅通孔溅射阻挡层/种子层的优化和评估
影响因子：
6.6
作者：
Wei, Tiwei;Cai, Jian;Wu, Zijian
通讯作者：
Wu, Zijian
平面集成双偏振平衡SIS混频器的研制
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
Y. Tsunetoe;S. Mineshige;T. Kawashima;K. Ohsuga;K. Akiyama;H.R. Takahashi;Broderick Avery E. et al. including Hiroshi Nagai;Shohei Ezaki
通讯作者：
Shohei Ezaki