Si1-xGex sputter epitaxy technique and its application to RTD
Si1-xGex sputter epitaxy technique and its application to RTD
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Si1-xGex溅射外延技术及其在RTD中的应用
DOI：
10.1016/j.tsf.2005.08.402
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
Y. Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Kubota;A. Hashimoto;Y. Suda
T.Ohmi：“在低能偏压溅射中进一步将外延硅温度降低至250℃的研究”应用物理学杂志。
DOI：
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发表时间：
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影响因子：
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作者：
通讯作者：
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