T.Ohmi: "Study on Further Reducing the Epitaxial Silicon Temperature Down to 250℃ in Low Energy Bias Sputtering" Journal of Applied Physics.
T.Ohmi: "Study on Further Reducing the Epitaxial Silicon Temperature Down to 250℃ in Low Energy Bias Sputtering" Journal of Applied Physics.
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T.Ohmi：“在低能偏压溅射中进一步将外延硅温度降低至250℃的研究”应用物理学杂志。
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通过低动能粒子轰击进行极低温外延硅生长
DOI：
10.1143/jjap.27.l2146
发表时间：
1988
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Ohmi;Kiyohiko Matsudo;T. Shibata;T. Ichikawa;H. Iwabuchi
通讯作者：
H. Iwabuchi
DOI：
10.1063/1.99914
发表时间：
1988
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Ohmi;Kiyohiko Matsudo;T. Shibata;T. Ichikawa;H. Iwabuchi
通讯作者：
H. Iwabuchi
DOI：
10.1143/jjap.16.553
发表时间：
1977
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Itoh;Tohru Nakamura;M. Muromachi;T. Sugiyama
通讯作者：
T. Sugiyama
DOI：
10.1016/0022-0248(78)90451-7
发表时间：
1978
期刊：
影响因子：
--
作者：
Y. Shiraki;Y. Katayama;Kinya Kobayashi;K. Komatsubara
通讯作者：
K. Komatsubara
低动能粒子工艺形成的外延硅薄膜的晶体结构分析
DOI：
10.1063/1.100919
发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Ohmi;T. Ichikawa;T. Shibata;H. Iwabuchi
通讯作者：
H. Iwabuchi