Simultaneous Determination of Carrier Concentration, Mobility and Thickness of SiC Homo-Epilayers Using Infrared Reflectance Spectroscopy
Simultaneous Determination of Carrier Concentration, Mobility and Thickness of SiC Homo-Epilayers Using Infrared Reflectance Spectroscopy
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使用红外反射光谱同时测定 SiC 均质外延层的载流子浓度、迁移率和厚度
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Yoshida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Oishi;Y.Hijikata;H.Yaguchi;S.Yoshida
采用低压热壁化学气相沉积法外延生长高质量 4H-SiC 碳面
影响因子：
1.5
作者：
K. Kojima;Takaya Suzuki;S. Kuroda;J. Nishio;K. Arai
通讯作者：
K. Arai