Manipulation of the magnetoresistance effect in a double-helix DNA
Manipulation of the magnetoresistance effect in a double-helix DNA
复制标题
双螺旋 DNA 磁阻效应的调控
DOI：
10.1088/1361-648x/aae567
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发表时间：
2018-10
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Wang Xue-Feng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li Yao-Sheng;Wang Xue-Feng
用紧束缚模型的转移矩阵方法研究了夹在铁磁电极之间的双链（G：C）N DNA的磁电阻效应。当考虑到自旋-轨道耦合与螺旋弹簧几何形状和可能的退相效应时，观察到DNA在其天然结构中的Rm幅度高达72.5%。它可以通过施加到DNA上的相对于其轴的应力或扭矩来大大操纵。此外，外部电压偏置也可以用于有效地控制Rm。观察到Rm对DNA长度的衰减振荡形式的依赖性。
Magnetoresistance (Rm) of a double-stranded (G:C)N DNA sandwiched between ferromagnetic electrodes has been studied using the transfer matrix method of the tight-binding model. A Rm magnitude up to 72.5% for DNA in its natural structure is observed when the spin–orbit coupling with the helix spring geometry and a possible dephasing effect are taken into account. It can be greatly manipulated by stress or torque applied to the DNA with respect to its axis. In addition, the external voltage bias can also be used to efficiently control Rm. The dependence of Rm on the DNA length in a decaying oscillation form is observed.
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