Chemical Vapor Deposition of IrTe2 Thin Films
Chemical Vapor Deposition of IrTe2 Thin Films
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IrTe2 薄膜的化学气相沉积
DOI：
10.3390/cryst10070575
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发表时间：
2020-07
期刊：
影响因子：
2.7
通讯作者：
Xie Liming
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhou Rui;Zhao Zhaoyang;Wu Juanxia;Xie Liming
二维IrTe 2具有深刻的电荷有序性和超导态，这与其厚度和掺杂有关。在这里，我们报告的IrTe 2薄膜的化学气相沉积（CVD）使用不同的Ir前体在不同的衬底上。发现Ir（acac）3前体和六方氮化硼（h-BN）衬底产生更高质量的多晶IrTe 2膜。温度依赖的拉曼光谱表征表明，在h-BN上生长的IrTe 2薄膜中，在~250 K时，q1/8相转变为HT相。电学测量表明，在220 K左右，HT相到q1/5相。
Two-dimensional (2D) IrTe2 has a profound charge ordering and superconducting state, which is related to its thickness and doping. Here, we report the chemical vapor deposition (CVD) of IrTe2 films using different Ir precursors on different substrates. The Ir(acac)3 precursor and hexagonal boron nitride (h-BN) substrate is found to yield a higher quality of polycrystalline IrTe2 films. Temperature-dependent Raman spectroscopic characterization has shown the q1/8 phase to HT phase at ~250 K in the as-grown IrTe2 films on h-BN. Electrical measurement has shown the HT phase to q1/5 phase at around 220 K.
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