Metallized slit-shaped pyramidal Si probe with extremely high resolution for 1.5-Tbit/in2 density near-field optical storage
Metallized slit-shaped pyramidal Si probe with extremely high resolution for 1.5-Tbit/in2 density near-field optical storage
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金属化狭缝形金字塔硅探针，具有极高的分辨率，适用于 1.5 Tbit/in2 密度近场光存储
DOI：
10.1117/1.2794357
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发表时间：
2007
影响因子：
1.5
通讯作者：
M. Ohtsu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Yatsui;W. Nomura;M. Ohtsu
我们研制了一种用于高密度光存储的硅探针，它采用金属化金字塔结构，针尖为狭缝状。使用时域有限差分法的数值分析表明，在孔径处产生的光斑测量为13×30 nm。我们制作了一个狭缝型硅探针，并评估了使用荧光成像的单染料分子的斑点大小。信号分布的半峰全宽为16 nm×26 nm，对应于1.5 Tbit/in 2的数据密度。此外，一个大的消光系数取决于偏振被证实。
We have developed a near-field optical probe by introducing the metallized pyramidal structure of a Si probe with a slit-shaped tip for high-density optical storage. Numerical analysis using the finite-difference time-domain method showed that the optical spot generated at the aperture measured 13×30 nm. We fabricated a slit-type Si probe and evaluated the spot size using fluorescence imaging of a single dye molecule. The full-width at half maximum of the signal profiles was 16 nm×26 nm, which corresponds to a data density of 1.5 Tbit/in2. Furthermore, a large extinction coefficient depending on the polarization was confirmed.
三角形孔径作为高密度存储的近场元件
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
IEICE Trans. Electron. E90-C・1
影响因子：
--
作者：
M.Hirata;M.Oumi;K.Shibata;K.Nakajima;T.Ohkubo
通讯作者：
T.Ohkubo
影响因子：
8.6
作者：
Matsuda, K;Saiki, T;Takagahara, T
通讯作者：
Takagahara, T
光学近场记录
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
J.Tominaga;T.Nakano
通讯作者：
T.Nakano