First-principles study on electronic structure of Si/SiO2 in terface-effect of interface defects om local charge dendity-
First-principles study on electronic structure of Si/SiO2 in terface-effect of interface defects om local charge dendity-
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Si/SiO2界面电子结构的第一性原理研究-局域电荷密度的界面缺陷效应-
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Kikuji Hirose
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Katsuhiro Kutsuki;Tomoya Ono;and Kikuji Hirose
影响因子：
3.7
作者：
T. Ono;K. Hirose
通讯作者：
T. Ono;K. Hirose
影响因子：
3.7
作者：
T. Ono;K. Hirose
通讯作者：
T. Ono;K. Hirose