Two dimensional control of electron beam induced orientation selective epitaxial growth of (100) and (110)CeO2 regions on Si(100) substrates
Two dimensional control of electron beam induced orientation selective epitaxial growth of (100) and (110)CeO2 regions on Si(100) substrates
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Si(100) 衬底上电子束诱导定向选择性外延生长 (100) 和 (110)CeO2 区域的二维控制
DOI：
10.1016/j.tsf.2010.12.201
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
S. Shida
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tomoyasu Inoue;Nobuyuki Igarashi;Y. Kanno;S. Shida
影响因子：
3.1
作者：
Min Yang;Victor Chan;K. K. Chan-K.;Leathen Shi;David M. Fried;James H. Stathis;A. I. Chou;
通讯作者：
Min Yang;Victor Chan;K. K. Chan-K.;Leathen Shi;David M. Fried;James H. Stathis;A. I. Chou;