A structural model of defects in β-Si3N4 produced by neutron irradiation
A structural model of defects in β-Si3N4 produced by neutron irradiation
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中子辐照产生的β-Si3N4缺陷的结构模型
DOI：
10.1080/01418610108212167
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Jenkins
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Akiyoshi;T. Yano;M. Jenkins
在实验快堆JOYO中，对793 K下经2.8 × 1026中子m−2（E > 0.1 MeV）辐照的烧结β-Si 3 N4样品进行了高分辨电子显微镜研究。发现中子感生间隙位错环的Burgers矢量约为（1/18）<$2429 <$（=<$1023 <$），对应于插入{1010}面的额外层SiN 4四面体。基于图像模拟和晶体化学的考虑，一个合适的结构模型观察到的缺陷已经推导出来。
Abstract A high-resolution electron microscopy study has been carried out on a sintered β-Si3N4 specimen which had been neutron irradiated to a dose of 2.8 × 1026 neutrons m−2 (E > 0.1 MeV) at 793 K in the experimental fast reactor JOYO. The Burgers vector of the neutron-induced interstitial dislocation loops was found to be about (1/18)⟨2429⟩ (=⅙⟨023⟩), corresponding to an extra layer of SiN4 tetrahedra inserted into the {1010} planes. Based on image simulation and crystal chemical considerations, a suitable structural model for the observed defects has been deduced.
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通讯作者：
T. Yano;T. Iseki
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