Anisotropic emission wavelength distribution of InGaN quantum wells on GaN microlens structures formed on semipolar (-1-12-2) plane
Anisotropic emission wavelength distribution of InGaN quantum wells on GaN microlens structures formed on semipolar (-1-12-2) plane
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半极性（-1-12-2）面上形成的 GaN 微透镜结构上 InGaN 量子阱的各向异性发射波长分布
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Y. Kawakami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Matsuda;M. Funato;and Y. Kawakami
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影响因子：
4.6
作者：
Matsuda, Yoshinobu;Umemoto, Ryunosuke;Funato, Mitsuru;Kawakami, Yoichi
通讯作者：
Kawakami, Yoichi
具有多色发射特性的电驱动无极面 InGaN LED
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
松田祥伸
通讯作者：
松田祥伸
影响因子：
4
作者：
Ziyi Zhang;M. Kushimoto;Akira Yoshikawa;K. Aoto;C. Sasaoka;L. Schowalter;H. Amano
通讯作者：
Ziyi Zhang;M. Kushimoto;Akira Yoshikawa;K. Aoto;C. Sasaoka;L. Schowalter;H. Amano
影响因子：
4
作者：
Neubert, B;Brückner, P;Zweck, J
通讯作者：
Zweck, J
影响因子：
4
作者：
M. Ueda;K. Kojima;M. Funato;Y. Kawakami;Y. Narukawa;T. Mukai
通讯作者：
M. Ueda;K. Kojima;M. Funato;Y. Kawakami;Y. Narukawa;T. Mukai