AIGaN/GaN HEMT with Distributed Gate for Improved Thermal Performance
AIGaN/GaN HEMT with Distributed Gate for Improved Thermal Performance
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具有分布式栅极的 AIGaN/GaN HEMT 可提高热性能
DOI：
10.23919/eumic.2018.8539896
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Elksne M
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Elksne M
具有分布式栅极的 AlGaN/GaN HEMT 可降低沟道温度
影响因子：
4.3
作者：
A. Darwish;H. A. Hung;Amr A. Ibrahim
通讯作者：
Amr A. Ibrahim
影响因子：
20.6
作者：
Mishra, Umesh K.;Shen, Likun;Wu, Yi-Feng
通讯作者：
Wu, Yi-Feng