Control of Inter-dot Electrostatic Coupling in an Asymmetric Silicon Double Quantum Dot Operating at 4. 5 K
Control of Inter-dot Electrostatic Coupling in an Asymmetric Silicon Double Quantum Dot Operating at 4. 5 K
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4. 5 K 工作温度下不对称硅双量子点点间静电耦合的控制
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Oda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. Yamahata;Y. Tsuchiya;H. Mizuta;K. Uchida;S. Oda
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硅双量子点结构静电耦合的控制观察
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 47(6)
影响因子：
--
作者：
A. Tanaka;Y. Tsuchiya;K. Usami;S. Saito;T. Arai;H. Mizuta;S. Oda
通讯作者：
S. Oda
影响因子：
56.9
作者：
Hatano, T;Stopa, M;Tarucha, S
通讯作者：
Tarucha, S
影响因子：
1.5
作者：
T. Kodera;T. Ferrus;T. Nakaoka;G. Podd;Michael Tanner;D. Williams;Y. Arakawa
通讯作者：
Y. Arakawa
影响因子：
19.6
作者：
Pioro-Ladriere, M.;Obata, T.;Tarucha, S.
通讯作者：
Tarucha, S.
影响因子：
56.9
作者：
Petta, JR;Johnson, AC;Gossard, AC
通讯作者：
Gossard, AC