Stoichiometric control for heteroepitaxial growth of smooth ε-Ga2O3 thin films on c-plane AlN templates by mist chemical vapor deposition
Stoichiometric control for heteroepitaxial growth of smooth ε-Ga2O3 thin films on c-plane AlN templates by mist chemical vapor deposition
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通过雾化学气相沉积在 c 面 AlN 模板上异质外延生长光滑 ε-Ga2O3 薄膜的化学计量控制
DOI：
10.7567/jjap.56.078004
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发表时间：
2017
影响因子：
1.5
通讯作者：
Yoshimoto Masahiro
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tahara Daisuke;Nishinaka Hiroyuki;Morimoto Shota;Yoshimoto Masahiro
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