Temperature dependence of spin-dependent transport properties of Co2MnSi-based current-perpendicular-to-plane magnetoresistive devices
Temperature dependence of spin-dependent transport properties of Co2MnSi-based current-perpendicular-to-plane magnetoresistive devices
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Co2MnSi基电流垂直于平面磁阻器件的自旋相关输运特性的温度依赖性
DOI：
10.1088/0022-3727/44/6/064009
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Koki Takanashi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Sakuraba;K. Izumi;S. Bosu;Kyosuke Saito;Koki Takanashi
研究了Co2 MnSi（CMS）/Ag/Co2 MnSi电流垂直于面巨磁阻器件在低于80 K时磁阻比下降的原因。ΔRA的温度依赖性与CMS层厚度无关，表明CMS层中的自旋扩散长度对于低温下MR比的降低不重要。只有在5 ~ 100 K的低温下，才观察到一个小的90°层间交换耦合，这是由Ag间隔层中的Mn杂质相互扩散引起的。一个可能的起源在MR比低于1080 K的减少是由于Mn杂质的磁有序的Ag间隔的自旋扩散长度的急剧减少。
The origin of magnetoresistance (MR) ratio reduction below ∼80 K in Co2MnSi (CMS)/Ag/Co2MnSi current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistive devices was investigated. The temperature dependence of ΔRA was independent of the CMS layer thickness, indicating that the spin-diffusion length in the CMS layers is unimportant for the reduction in the MR ratio at low temperatures. A small 90° interlayer exchange coupling, which originated from inter-diffused Mn impurities in the Ag spacer, was observed only at low temperatures from 5 to ∼100 K. A possible origin for the reduction in the MR ratio below ∼80 K is the drastic reduction in the spin-diffusion length of the Ag spacer due to magnetic ordering of the Mn impurities.
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影响因子：
4
作者：
S. Tsunegi;Y. Sakuraba;M. Oogane;H. Naganuma;K. Takanashi;Y. Ando
通讯作者：
S. Tsunegi;Y. Sakuraba;M. Oogane;H. Naganuma;K. Takanashi;Y. Ando
影响因子：
3.2
作者：
T. Furubayashi;K. Kodama;T. Nakatani;H. Sukegawa;Y. Takahashi;K. Inomata;K. Hono
通讯作者：
T. Furubayashi;K. Kodama;T. Nakatani;H. Sukegawa;Y. Takahashi;K. Inomata;K. Hono
影响因子：
4
作者：
Ishikawa, Takayuki;Liu, Hong-xi;Yamamoto, Masafumi
通讯作者：
Yamamoto, Masafumi
影响因子：
3.7
作者：
Mavropoulos, P;Lezaic, M;Blügel, S
通讯作者：
Blügel, S
DOI：
10.1143/jjap.42.l419
发表时间：
2003-04-15
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
影响因子：
--
作者：
Inomata, K;Okamura, S;Tezuka, N
通讯作者：
Tezuka, N