Fabrication of a P-Channel SiC-IGBT with High Channel Mobility
Fabrication of a P-Channel SiC-IGBT with High Channel Mobility
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具有高沟道迁移率的 P 沟道 SiC-IGBT 的制造
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.958
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Fukuda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Katakami;H. Fujisawa;K. Takenaka;H. Ishimori;S. Takasu;M. Okamoto;M. Arai;Y. Yonezawa;K. Fukuda
研制了一种高沟道迁移率的P沟道碳化硅绝缘栅双极晶体管（SiC-IGBT），并对其特性进行了表征。通过采用具有逆向掺杂分布的n型基极层和在栅极氧化工艺中在1100°C下的附加湿法再氧化退火（wet-ROA）的组合，实现了13.5cm2/Vs的更高的场效应沟道迁移率。p沟道SiC-IGBT在200°C下的导通特性显示出在VG = -20 V时24 mΩ cm 2的低微分比导通电阻。p沟道SiC-IGBT在25°C下的正向阻断电压为10.2 kV，漏电流密度为1.0 μA/cm 2。
We fabricated and characterized an ultrahigh voltage (>10kV) p-channel silicon carbide insulated gate bipolar transistor (SiC-IGBT) with high channel mobility. Higher field-effect channel mobility of 13.5 cm2/Vs was achieved by the combination of adopting an n-type base layer with a retrograde doping profile and additional wet re-oxidation annealing (wet-ROA) at 1100°C in the gate oxidation process. The on-state characteristics of the p-channel SiC-IGBT at 200°C showed the low differential specific on-resistance of 24 mΩcm2 at VG = -20 V. The forward blocking voltage of the p-channel SiC-IGBT at 25°C was 10.2 kV a the leakage current density of 1.0 μA/cm2.
影响因子：
3.2
作者：
K. Kawahara;J. Suda;G. Pensl;T. Kimoto
通讯作者：
K. Kawahara;J. Suda;G. Pensl;T. Kimoto