Antiferromagnetic Coupling Between Semiconductor Quantum Dots
Antiferromagnetic Coupling Between Semiconductor Quantum Dots
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半导体量子点之间的反铁磁耦合
DOI：
10.1142/9789812705556_0071
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发表时间：
2002
影响因子：
3.7
通讯作者：
N. Yokoyama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Tackeuchi;T. Kuroda;Y. Nakata;N. Yokoyama
摘要 我们研究了半导体量子点之间的磁耦合。使用时间分辨自旋相关光致发光测量直接观察到基于点间交换相互作用的反铁磁化过程。证明点间交换相互作用能为负的反铁磁序被发现存在于低于 50–80 K 的温度下。反铁磁序下的自旋弛豫时间延长至 10–12 ns，比孤立量子点长一个数量级。
Abstract We have investigated magnetic coupling between semiconductor quantum dots. The antiferromagnetization process based on the interdot exchange interaction has been directly observed using time-resolved spin-dependent photoluminescence measurements. The antiferromagnetic order that proves the interdot exchange interaction energy to be negative is found to exist at temperatures lower than 50–80 K. The spin relaxation time under the antiferromagnetic order is extended to 10–12 ns, an order of magnitude longer than that in isolated quantum dots.
影响因子：
1.5
作者：
A. Tackeuchi;T. Kuroda;ShunichiMuto Nishikawa;OsamuWada OsamuWada-OsamuWada
通讯作者：
A. Tackeuchi;T. Kuroda;ShunichiMuto Nishikawa;OsamuWada OsamuWada-OsamuWada
T.Kawazoe：“II型Al0.34Ga0.66As/AlAs多量子阱中空穴的自旋弛豫过程”物理评论B。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：
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